это сделано осознанно, т.к. был отрицательный опыт (думаю - все здесь знают какой).Сообщение от dk_spb
это сделано осознанно, т.к. был отрицательный опыт (думаю - все здесь знают какой).
Угу. Если не справились сделать как надо - всегда же можно сказать что так и было задумано...
Товарищи, а кто в живую видел плату Устройства регенерации памяти Р1Ц для Эл.60?
Для чего она нужна? Встроенное ОЗУ М2 разве не регенерируется автоматичиски?
И при использовании дополнительного ОЗУ скажем П3, там-же есть регенерация или все-же нет?...
И как машина тогда нормально работает без регенерации памяти?
Кто сможет все это объяснить?
Последний раз редактировалось Andrey_Ak; 23.06.2020 в 08:44.
П1 15УЗО-4-002 ёмкостью 4 К 16-разрядных слов. Время выборки — 500 нс. Время обращения — 800 нс, требует внешней регенерации не реже 1 мс.
П2 15УЗО-4-003 ёмкостью 4 К 16-разрядных слов на основе К565РУ1А. Время выборки — 500 нс. Время обращения — 800 нс. Питание: +5 (±5 %) В и +12 (±3 %) постоянного тока при потребляемой мощности не более 3,3 Вт и 11 Вт соответственно. Габаритные размеры модуля: 252 × 143 × 12 мм, масса не более 0,35 кг. Каждые 2 мс требуется регенерация, в виде выполнения центральным микропроцессором или другим активным устройством, работающим в режиме ПДП, 64 тактов считывания при адресации по строкам.
П3 МС 3105 3.858.355 (15УЗО-16-004) ёмкостью 16 К 16-разрядных слов на основе К581РУ4 (или К565РУ3). Время выборки — 200 нс. Время обращения — 400 нс, требует внешней регенерации не реже 2 мс. Выпускалась исполнениями: МС3105.02 (накладка с правосторонней фиксацией) и МС3105.03 (накладка с левосторонней фиксацией).
П5 МС 3101 ёмкостью 32 К 16-разрядных слов. Время выборки — 200 нс. Время обращения — 400 нс. Обеспечивается контроль по чётности и автономная регенерация. Потребляемый ток — 2 А при +5 В.
Последний раз редактировалось Hunta; 23.06.2020 в 09:30.
Я не видел, но это, скорее всего, внешняя память на цилиндрических магнитных доменах. Пытались использовать вместо дисков. Комплект, вроде-бы, состоял из нескольких плат памяти и одной платы регенерации.
Кто мешает тебе выдумать порох непромокаемый? (К.Прутков, мысль № 133)
На счет П1, П2, П3 я читал что "требует внешней регенерации"
Вопрос в другом, как это решали, и как работают машины "без регенерации"..
В каких случаях требуется использование дополнительных устройств...
Нет, Р1Ц - это полуплата, идущая в комплекте с много-платным контроллером НМЛ "15ВВМЛ-10-001",
суть в том, что данной платы нет, и насколько мне известно, ее и не было в комплексе с контроллером и машиной..
Или изначально не ставили... Но как-то вроде работало.. Хотя возможно конечно, маловероятно что ее и вытащили..
Вот хотелось разобраться в этом вопросе, для чего надо, в каких случаях можно без регенерации и где необходимо...
С любовью к вам, Yandex.Direct
Размещение рекламы на форуме способствует его дальнейшему развитию
"Сигнал РГН на линии "Признак-Блочный обмен-Регенерация" ... Допускается использовать сигнал РГН в качестве признака выполнения цикла регенерации динамической оперативной памяти. В этом случае сигнал РГН вырабатывается процессором или другим активным устройством."
Так же в старой документации на QBUS (документ не назову - надо искать) попадалось описание линий на QBus, которые использовались для сигналом регенерации DRAM, и которые теперь SPARE, так как регенерацию перенесли на сами платы ОЗУ
В листинге микрокода LSI-11, что выложил Vslav, я видел отдельную микро-команду / процедуру для регенерации DRAM. И она запускалась по таймеру.
Предполагаю, что как раз этот микрокод и выставлял со стороны CPU сигнал РГН
Ну я так понял, на П3 можно перемычкой включить регенерацию от сигнала РГН от процессора?
Для чего тогда отдельная плата Р1Ц ?
Другое активное устройство - это устройство ПДП, которое в режиме ПДП управляет шиной. И если цикл ПДП длительный - вполне можно налететь на то, что пора бы сделать цикл регенерации
Эту тему просматривают: 1 (пользователей: 0 , гостей: 1)
Ваши права
Ответить с цитированием
