Псевдо Случайная Последовательность. Имхо.
МГТФ - любимый провод!
KAY-1024(4096)/SL-4/TURBO v2010 + Nemo-FDC + Nemo-IDE (CF 4GB) + SMUC2 Rev.B RTC (HDD 1.6GB + DVD-ROM) + PROF-ROM + ZXMC2 + GENERAL SOUND 2MB + ZX-BUS_TEE + FDD 3.5' + FDD 5.25' + VGA&PAL
Я тут еще недавно прочитал статью: "Exploiting the DRAM rowhammer bug to gain kernel privileges"
Суть в том, что обращение к ячейке памяти приводит к регенерации всей строки, в которой расположена эта ячейка. При этом регенерация соседних строк не происходит (точнее, она происходит в обычном режиме с той периодичностью, с которой ее ведет схема регенерации или видеоконтроллер). Однако из-за близкого физического расположения конденсаторов соседних строк, частая регенерация одной строки может разрушить содержимое соседней строки до того, как оно тоже будет регенерировано схемой регенерации.
В статье написано, что эта проблема характерна только для современных ИС ДОЗУ, из-за увеличения их степени интеграции. Однако я думаю, что она может проявляться и у старых микросхем, если на их кристаллах имеются какие-то микродефекты.
Поэтому напрашивается следующий тест: "Row hammer test":
1) записываем в память исходные данные, "забывание" которых мы будем проверять впоследствии;
2) молотим одну и ту же ячейку многократными обращениями некоторое время
3) проверяем всю память на предмет "забывания" информации
И так в цикле.
"забывание" информации наиболее вероятно может произойти в строках, соседних с той, которую молотили на шаге 2. Однако конкретный столбец, где произойдет "забывание", предсказать невозможно, поэтому надо проверять содержимое соседних строк полностью.
Повысить эффективность можно, если синхронизировать тест с работой схемы регенерации ОЗУ. То есть начинать молотить строку сразу после того, как соседние с ней строки были регенерированы. Если есть возможность - на время тестирования снизить период регенерации, чтобы спровоцировать появление ошибок в менее устойчивых ячейках памяти.
В клонах Спектрума каждое обращение к памяти приводит к активации строки (импульс сигнала RAS), поэтому никакие дополнительные меры принимать не нужно. В более современной памяти типа FPM, EDO, SDR, возможно один раз "открыть" строку (при этом происходит ее регенерация и полное считывание в буфер строки), так что последующие обращения к этой же строке не приводят к ее считыванию и регенерации, а просто возвращают данные из буфера. Там row hammer test несколько усложняется.
Эту тему просматривают: 1 (пользователей: 0 , гостей: 1)