Блок СОЗУ+КНГМД БК0010/11/11М КМДРП-1

[MM]

Вариант Э3 блока КМДРП-1 на 62256 :


В БК11 СОЗУ размещено в 13 странице ПЗУ и недоступно с пультового терминала по записи- только чтание.
*
Назначение выключателей, согласно Э3 :
SA1.1 - включение СОЗУ в адресах 160000-177577
SA1.2 - 140000-157777
SA1.3 - 120000-137777
SA1.4 - 100000-117777
SA1.5 - 060000-077777
SA1.6 - 040000-057777
SA1.7 - 020000-037777
SA1.8 - 000000-017777 ( замкнут - нет выбора банка )

SA2.1 - включение возможности чтения ( все банки ) ( замкнут - есть чтение )
SA2.2 - включение возможности записи ( все банки ) ( замкнут - есть запись )
SA2.3 - не подключено
SA2.4 - включение области ПЗУ блока КНГМД 170000-177577 ( замкнут - выключено ).
Выключение SA2.4 применяется при установке прошивки ПЗУ 019 в блок КНГМД для тестирования СОЗУ, или 1284 для работы с отладчиком "Грот".

( Момент теста СОЗУ с 019 ПЗУ в блоке КНГМД )
*
Конденсаторы К10-17-1в 100 пф на линиях МПИ АД0-АД15 и SYNC установлены специально для ДПП БК0010-01 под клаву МС7008 для возможности разгона данной платы до 6 мгц, без линейки конденсатров плата БК не будет разгоняться, ввиду неудачного трекинга.
При повторе конструкции для БК11 линейку конденсаторов на МПИ можно не устанавливать.
Рекомендуемый номинал конденсаторов - 47...100 пф, все одинаковые.
*
Для варианта использования с БК0010 можно включать банки СОЗУ в адресах 000000-017777 и 020000-037777, одновременно приняв меры к исключению доступа к этим адресам БИС КР1801ВП1-037 внутри БК. При этом будет существенный рост быстродействия программ пользователя на стандартной частоте процессора БК.
Батарею ( аккум ) подключать через резистор 51...1000 ом параллельно конденсатору 47 мк на схеме платы СОЗУ.
Типовой расход электричества от батареи 3 вольт - порядка 1...2 микроампера при установке медленных СОЗУ ( медленней ~50 нс ). При установке БИС кэша от материнок 386ДХ-486 расход может быть существенным, порядка единиц миллиампер, и применение батареи мало целесообразно.
*
Классический вариант Э3 :
Приблизительная Э3 платы расширителя СОЗУ БК10 ( но это другая трассировка была, позиции корпусов СОЗУ могут быть другими.)
http://s017.radikal.ru/i412/1210/09/3a91fc81dc94.jpg
http://s019.radikal.ru/i635/1210/d0/b8ccaa183c4b.jpg
Номинальный комплектация платы КМДРП :
КР537РУ8 ( РУ10 ) - 8 шт,
555ИД7 - 2 щт.
555ИР23 - 2 шт,
555ТМ2 - 1 шт.
555ЛА3 - 3 шт.
Все ИС логики можно сменять на КР1533 без каких - либо изменений.
Еще - 2 шт. диода КД522, 1 светодиод, 1 резистор 2 ком - для задержки RPLY ( при использовании импортных ИС СОЗУ резистор, диод к нему и конденсатор КМ5 100 пф. можно не ставить ), 1 резистор 200 ом - к светодиоду. 2-й диод КД522 монтируется между выходом ИС ЛА3 и сигналом шины RPLY.
*
Вариант КМДРП-2 :
( Замена ПЗУ КР1801РЕ2-326 на 2 шт. 573РФ5/556РТ7 или типа такого ).

Вместо 1533ЛА4 применять 217ЛА2 / 217ЛБ2 / 2ЛБ172
Назначение выключателей :
SA2.1 - включение чтения СОЗУ ( замкнут- чтение возможно )
SA2.2 - включение записи СОЗУ ( замкнут - запись возможна )
SA2.3 - чтение ППЗУ в адресе 170000 - 177577 ( замкнут - нет чтения )
SA2.4 - чтение ППЗУ в адресе 160000 - 167777 (замкнут - нет чтения )
SA2.5 - не подключен
SA2.6 - не подключен
Ионистор можно заменить аккумом от сотового, можно сильно б/у.
ППЗУ по питанию подключать к линии +5 в.
*
В принципе, ППЗУ можно ставить и большего объема, и выбирать его нижним мультиплексором КП7 в дополнительных областях адресов, посредством подачи уровня +5в. на выводы Д2...Д7.
При использовании ИС памяти с быстродействием шустрее 150 нс можно не устанавливать замедляющий ответ конденсатор С2.
*
Изменение в схеме БК0010 ( для БК11 не подойдет ), выключающее для ВП1-037 сигналы доступа к ДОЗУ в адресах 000000 - 037777.
Назначение - при установленном блоке КМДРП и включенных на блоке адресах СОЗУ 000000 - 037777 можно получить существенный рост быстродействия БК, а так же энергонезависимость ОЗУ в адресах 000000 - 037777.

[Advertiser]