Все так, но учитывая емкостный характер затвора FETа, я начинаю понимать, зачем частотное управление. Точнее, там получается вроде как нагнетание потенциала выше чем питание, чтобы вогнать FET в насыщение. И только в этом режиме он выдаст твои 20мОм. Да и при открывании/закрывании, чтобы процесс прошел лавинообразно нужен большой потенциал. ЕМНИП нормально FET вогнать в насыщение только 5В не выйдет, нужно минимум 9В. Хотя может сейчас новые придумали.