Вид для печати
Пока пишется продолжение, сразу несколько вопросов)
1) Почему поликремний иногда заканчивается тупиком, ни с чем не соединяясь?
2) Все ли переходные отверстия соединяют все 3 слоя, или же есть переходные отверстия соединяющие только два слоя?
3) Почему переходные отверстия натыканы иногда друг за другом? Для уменьшения сопротивления переходного отверстия или для чего-то еще?
4) Почему диффузия отливает то зеленым оттенком, то красным?
Почему вокруг области "дифузии" видна тонкая черная полоска??? как её сделали? к стати такая же черная линия по борту поликремния когда его пересекает металл. Может это просто тень? А там не ровная поверхность а впадина?
Про тупики сам понял) Это же база, ей необязательно с чем-то соединяться в другом месте, главное пересечь N или P область.Цитата:
Сообщение от Titus
Но возник другой вопрос - в некоторых местах размер поликремния очень малый, соединяется лишь с металлом и ничего не пересекает - это что?
http://s011.radikal.ru/i315/1412/ed/144cc03a755f.png
Вопросы - это хорошо, всегда приятно их услышать :)
Это не тупик, это аналог "неиспользуемая нога микросхемы". То есть, наша ячейка-микросхема имеет две ножки, электрически соединенные между собой полоской поликремния, которая одновременно формирует затворы двух транзисторов. Дорожки "на плате" могут подходить к любой из этих двух электрически равнозначных ножек, оставляя вторую свободной. Или даже к двум сразу, в этом случае поликремний используется еще и как часть общей цепи, позволяя трассировке пересечь ячейку.Цитата:
Сообщение от Titus
Зависит от технологии. Для 1515ХМ пока видны переходные только одного типа, соединяющие все три слоя одновременно. Для процессора 1801ВМ1 применялись переходные двух типов - все три слоя одновременно, и второй тип переходных, соединяющий только диффузию и поликремний.Цитата:
Сообщение от Titus
Да, снижение паразитных параметров (сопротивления и индуктивности) и повышение надежности схемы, а также ПВГ (процент выхода годных).Цитата:
Сообщение от Titus
Цвет тут понятие условное, может быть зависит от типа легирования - (бор или фосфор для Ангстрема), может быть это интерференция в тонкой пленке оксида (подложка покрыта слоем оксида кремния, на нем уже лежит поликремний, слой оксида - это изолятор, для реверса неинтересен). Поликремний в разных микросхемах тоже по-разному окрашен, даже для ХМ2-001 и ХМ2-003. Я предполагаю что это цвет использованного фоторезиста. Кстати, в термически обоженных микросхемах цвета все плывут и меняются. Поэтому факторов очень много и сказать "почему оно такого цвета" - сложно.Цитата:
Сообщение от Titus
---------- Post added at 15:38 ---------- Previous post was at 15:34 ----------
Честный ответ - я не знаю откуда там такая хорошая темная полоска. Но считаю нам очень повезло, что ее так хорошо можно различить.Цитата:
Сообщение от bigral
Насчет тени - маловероятно что это тень, слой металла очень тонкий, микроны, поэтому можно разглядеть некоторые детали за ним.
Правильно ли я понял этот кусочек схемы?
http://s020.radikal.ru/i704/1412/5f/87eb392a958e.png
Продолжение.
Вот так выглядит картинка, если прорисовать все значимые слои и добавить переходные отверстия. Там где имеется несколько переходных отверстий, электрически параллельных, то рисуем только одно - для восстановления принципиальной схемы количество отверстий не играет никакой роли, а нагрузка на графический редактор будет снижена (при большом количестве объектов начинаются эффекты подтормаживания), да и банально меньше времени потратим на прорисовку.
http://s50.radikal.ru/i130/1412/82/1c0964ca2b81t.jpg
Далее я удалю области диффузии, заменив их на отдельные проводники в областях стока и истока, и только там где они нужны. Если оставить область сплошной, то PCAD будет считать что это единая цепь, а ведь на самом деле это отдельные сток и исток.
http://s011.radikal.ru/i316/1412/cd/38b265f2fe25t.jpg
Предварительный анализ показывает что тут скорее всего две библиотечные ячейки, на рисунке показаны выделенные области:
http://i067.radikal.ru/1412/a7/968aaf8139e4t.jpg
Для начала рассмотрим ячейку А1 как более простую, на ней тонкими желтыми линиями нарисованы транзисторы и эквивалентная электрическая схема:
http://i077.radikal.ru/1412/f8/70fcdd759d02t.jpg
Далее, очень рекомендую такую книжку: Мальцев Петр Павлович, Цифровые интегральные схемы. В этой книге описаны различные советские БМК, в частности 1515ХМ1. Находим там в приложении описание библиотеки для серии 1515 и видим такое:
http://i053.radikal.ru/1412/60/cbb560ae10e5t.jpg
Напрашивается вывод что ячейка A1 это библиотечная ячейка типа 614, выполняющая функцию 2И-НЕ, то есть самый банальный элемент ЛА3, который любят приводить во всех примерах. Там какие-то циферки еще написаны - это и будут наши номера выводов "микросхемы", которой мы будем представлять ячейку (схемку я удалил, чтобы виднее цифры были):
http://s011.radikal.ru/i315/1412/a2/f9f3d65032c0t.jpg
Желающие могут попрактиковаться и расшифровать ячейку А0, которая гораздо сложнее и состоит из 14 транзисторов, ответ - под спойлером.Скрытый текст
ячейка A0 представляет собой тактируемый D-триггер с асинхронным сбросом. Хинт - используется проходная логика как в ячейке типа 616[свернуть]
Да, правильно.Цитата:
Сообщение от Titus
Пока что остался неотвеченным мой вопрос: http://zx-pk.ru/showpost.php?p=761629&postcount=183
И еще возник вопрос - если сплошная область диффузии - это фактически проводник, то почему:
Почему, диффузия над которой расположен полисиликон (затвор) становится непроводником? Или под полисиликоном в диффузии разрыв?
---------- Post added at 21:37 ---------- Previous post was at 21:23 ----------
И номер по книжке моей ячейки будет 615! )Цитата:
Сообщение от Vslav
Это такой же "тупик" - неиспользуемая ножка "микросхемы". Кусочек поликремния там может быть по разным технологическим причинам. Возможно просто выравнивание, чтобы не было резких перепадов по высоте. А может быть банально "пин" дублированный в слое поликремния.Цитата:
Сообщение от Titus
Никто не заморачивается с "откусыванием"/"подчисткой" неиспользуемых ножек, ячейка разрабатывается и тестируется как единый технологический элемент, никто не будет проверять как она будет работать (или глючить) с измененной геометрией (с "откусанной" ножкой), ведь изменится куча паразитных параметров, может вылезти какая-нибудь неожиданная "бяка", связанная с технологией изготовления и прочее.
Нет, там нет разрыва. Насколько я знаю - видимые области диффузии вне затвора дополнительно легированы, поэтому сами по себе имеют значительную проводимость в сравнении с подзатворной областью. Это так называемый самосовмещенный затвор. Ионную имлантацию проводят дополнительно уже после нанесения затворов, они сами служат как бы дополнительным трафаретом, легируются только сток-истоковые области, получается затворы автоматически выравнены относительно областей легирования подложки.Цитата:
Сообщение от Titus
Я достаточного далек от микроэлектроники, для таких нюансов лучше технологов спрашивать или читать соответствующую литературу. Кратко технология Ангстрема для n-МОП описана в ТО на 1801ВМ2, во второй части. Это описание значительно помогло разобраться с процессором.
Транзисторы в 1801, кстати, бывают двух типов - с индуцированным и встроенным каналами, характеристики у них разные, но по фото не видно, поэтому делаем выводы только из схемы. Подзатворная область у транзисторов со встроенным каналом легирована сильнее, и там фактически имеется постоянная проводимоть, чтобы закрыть такой транзистор - надо приложить минус. Транзисторы со встроенным каналом ставятся по схеме в верхнее плечо мостового ключа и позволяют всей схеме работать от единого питания. В 580ВМ80А транзисторов со встроенным каналом нет, поэтому требуется второе питание в +12В.
Серия 1515 - это КМОП, предполагается что тут все транзисторы с индуцированным каналом, подзатворная область легирована слабо, транзистор в исходном (при нулевом смещении относительно земли/питания) закрыт, для открытия нужно приложить соответствующее напряжение.
Вот теперь все прояснилось.
Вернее, осталась пара нюансов - как на нашем 1515 выглядят диоды и резисторы, с примерами?
И еще - какая есть самая простейшая программа, где можно рисовать схему из таких элементов - триггер, инвертор и т.д., и соединять их проводниками? И чтобы обязательно эти элементы можно было отображать в отечественном виде (когда инвертор - это прямоугольник с кружочком, а не треугольник с кружочком, как принято зарубежом)?
Еще есть вопрос по поводу областей "дифузии". В обьяснениях строения МОП транзисторов говорится что сами по себе транзисторы должны быть изолированны обратным смещением на pn-переходе на границе подложки и области "дифузии". Для этого якобы бывает еще 4-й вывод транзистора который соответственно подключен к "0" для n-канального и к "1" для p-канального.
Так вот шото не видно тут на снимке такого вот 4-го провода... ?