Форум как бы спековый ;) , для прочего есть раздел "Другие компьютеры" .Цитата:
Сообщение от Romanich
Вид для печати
Форум как бы спековый ;) , для прочего есть раздел "Другие компьютеры" .Цитата:
Сообщение от Romanich
Если нужно перенести кучу кодов или писать универсальный, с учетом особенностей, то лучше eZ80 вариантов мало. Куча исходников..Цитата:
Сообщение от ASDT
"Если нужно перенести кучу кодов или писать универсальный, с учетом особенностей, то лучше eZ80 вариантов мало. Куча исходников.."
Нафик! Атмел рулит! :)
Мне так больше ассемблер Z80 нравится. Нравится и всё тут. К тому же, есть тема, где особенность чипа может помочь развить спек, что очень и очень возможно пусть в рамках узкого круга.Цитата:
Сообщение от ASDT
Если честно, то мне что-то неверится, что при разгоне камней их можно вывести из строя! Я разгонял mega128 до 24МГц - при этом нагрев её корпуса был незначителен и на ощупь неотличим в случае работы на 16МГц. ИМХО CMOS-микросхемы гнать безопасно, так как у них крайне низкое энергопотребление...Цитата:
Сообщение от Пётр
Ну не совсем так.. Когда верхний ключ не успевает закрыться (или наоборот), а нижний уже открылся возникают сквозные токи от которых кристалл греется так что дотронуться не возможно, хотя если вовремя заметить и отрубить питание, то потом всё живёт. Эффект наблюдался на CMOS RAM.Цитата:
Сообщение от Romanich
То, что вы описали в начале - даёт нагрев, ПРОПОРЦИОНАЛЬНЫЙ частоте (так как такой механизм, если он имеет место, имеет место на любой частоте). А то, что в конце - вызвано т.н. 'защёлкиванием', когда в выходных каскадах CMOS-микросхем открываются паразитные тиристоры и начинают сильно греться. Ваша некомпенетность ещё раз подтверждена.Цитата:
Сообщение от Black_Cat
Тоже самое наблюдается, если выход тактового генератора напрямую соединить с некоторыми микрухами(V9990,YM2612,...)! Нужно через резистор (единицы килоом) или кондёр (десятки-сотни нанофарад)!Цитата:
Сообщение от Black_Cat
входная йомкость большая ?Цитата:
Сообщение от Romanich
Для КМОП микросхем имеет место практически линейная зависимость потребляемой мощности от частоты. Крайне низкое потребление у КМОП только в статическом режиме (когда нет переключений).Цитата:
Сообщение от Romanich
Данный механизм имеет место не на любой частоте, а только на частотах превышающих паспортные параметры для заданой серии микросхем, т.к. этот эффект вызван ограниченной скоростью рассасывания зарядов из паразитной емкости затвора, и именно емкость затвора ограничивает максимальную скорость переключения полевых транзисторов. Причем на высоких частотах ток затвора может быть существенным (например в импульсных источниках питания в силовых ключах ток затвора может достигать нескольких ампер).Цитата:
Сообщение от yoko_ono
что подразумевалось под входной емкостью?(о которой я написал или которая м.б. в микрухах)?Цитата:
Сообщение от pbogdan
Да что вы говорите. Оказывается, потребление (и нагрев) КМОП не зависит линейно от частоты (за вычетом статического тока потребления)!Цитата:
Сообщение от deathsoft
Или, быть может, вы ведёте речь о эффекте защёлкивания (который и описан, собственно, а именно, СИЛЬНЫЙ нагрев и его прекращение только при выключении питания)? По-вашему, он от превышения частоты возникает?
От превышения частоты возможны сквозные токи из-за ограниченной скорости рассасывания зарядов емкости затвора.Цитата:
Сообщение от yoko_ono
А от возникшего сквозного тока возможен лавинообразный эффект защёлки, ликвидировать который можно только выключением питания. Чего копья-то зря ломать? Никто не говорит, что это обязательно будет. Вон гонят CMOS процы в полтора раза - и вроде ничего, просто нужно иметь это ввиду при серийном использовании оверклока и желательно иметь на этот случай механизмы ликвидации эффекта защёлки.Цитата:
Сообщение от deathsoft
а я тут сижу и понимаю , что мне так мало 7 mhz на скорпе ...
блин , что-же делать ?
На это я могу сказать только одно: изучайте мат. часть, физические основы микроэлектроники, как работают полевые транзисторы, что из себя представляют КМДП структуры (в качестве диэлектрика может быть и не оксид кремния, а, например, нитрид кремния).Цитата:
Сообщение от yoko_ono
Я описал эффект связаный со сквозными токами, этот эффект наблюдается не на любой частоте. А обычный (линейный от частоты переключения) нагрев КМОП схем никак со сквозными токами не связан. При работе КМОП микросхем на паспортной частоте сквозных токов НЕТ.
Вот вы лучше и изучайте. Особое внимание уделите нитриду кремния как диэлектрику под затворами - раз уж он для вас настолько важен, что вы его упомянули.Цитата:
Сообщение от deathsoft
Ну допустим. Тогда поясните, для начала, о рассасывании зарядов где вы говорите? В затворе (куске проводника) или в канале?Цитата:
Я описал эффект связаный со сквозными токами, этот эффект наблюдается не на любой частоте.
Да неужели? Расскажите это микросхемам серии CD4000 (напряжение питания от 3 до 15 вольт) или, например, Филипсу, который в даташитах пишет:Цитата:
А обычный (линейный от частоты переключения) нагрев КМОП схем никак со сквозными токами не связан. При работе КМОП микросхем на паспортной частоте сквозных токов НЕТ.
И прилагает замечательные картинки зависимости сквозного тока от входного напряжения.Код:When the input voltage equals the n-channel transistor
threshold voltage (typ. 0.7 V), the n-channel transistor
starts to conduct and through-current flows, reaching a
maximum at VI = 0.5 VCC for 74HC devices, and
VI = 28%VCC for 74HCT devices, the maximum current
being determined by the geometry of the input transistors.
The through-current is proportional to VCC^n where n is
about 2.2. The supply current for a typical HCMOS input is
shown as a function of input voltage transient in Fig.14.
Ну и наконец, вы, как знаток физических основ микроэлектроники, извольте уж пояснить нам, неучам, как от сквозных токов (МОП-транзисторы в линейном режиме, ни один p-n переход не смещён в прямом направлении) возникает защёлкивание (открытие паразитных тиристорных структур).
"При работе КМОП микросхем на паспортной частоте сквозных токов НЕТ. "
Гы ... Это правда смешно ... :)
Не стоит выдергивать фразу из контекста: было написано "скоростью рассасывания зарядов из паразитной емкости затвора" надеюсь разницу между емкостью затвора и просто затвором вы видите. Емкость затвора образована МДП конденсатором (о котором рассказано в любом курсе микроэлектроники). Насчет p-n переходов в МОП транзисторе - там их просто нет (не считая переходов со стока и истока на подложку). Область затвора отделена диэлектриком (SiO2) а не p-n переходом как например в GaAs транзисторах.Цитата:
Сообщение от yoko_ono
Статья про тиристорный эффект и методы борьбы с ним в современных КМОП микросхемах.
http://focus.ti.com/lit/an/slya014a/slya014a.pdf
Отрывок из документации Fairchild Semiconductor (AN-375 1984г) про тиристорный эффект для микросхем серий 54HC/74HC:
"Thanks to some processing refinements, SCR latch-up isn’t a problem with the MM54HC/74HC Series. There are, however, limitations on the currents that the internal metallization and protection diodes can handle, so for high-level transients (pulse widths less than 20 ms and inputs above VCC or below ground), you must limit the current of the IC’s internal diode to 20 mA rms, 100 mA peak. Usually, a simple resistor configured in series with the input suffices."
P.S. Если есть желание продолжить полемику, то лучше это сделать в разделе "флейм", т.к. затронутая тема не имеет к исходной никакого отношения.
Сделать переходник с Z84@20MHz на Z80C@8MHz ;) и поставить первый!Цитата:
Сообщение от Orionsoft
Если бы оно ещё и работало после этого, то все бы так и сделали :) , но до сих пор никому это не удалось.Цитата:
Сообщение от Romanich
По существу вам сказать нечего, раз вы про контекст разговор начали?Цитата:
Сообщение от deathsoft
А видите ли вы? В ёмкости зарядов быть не может, так же, как например не может быть зарядов в сопротивлении, так как это - параметр цепи (ёмкость - отношение заряда к потенциалу - как у него (отношения) может быть заряд?)Цитата:
было написано "скоростью рассасывания зарядов из паразитной емкости затвора" надеюсь разницу между емкостью затвора и просто затвором вы видите.
Так всё-таки есть или нет - определитесь уж! Вы же СПЕЦИАЛИСТ (якобы)!Цитата:
Насчет p-n переходов в МОП транзисторе - там их просто нет (не считая переходов со стока и истока на подложку).
Я безумно рада, что вы соизволили наконец разобраться с тиристорным эффектом, поняли, причём там p-n переходы в МОП-транзисторах. Будьте добры, поясните теперь, как этот эффект возникает от сквозного тока!Цитата:
Статья про тиристорный эффект и методы борьбы с ним в современных КМОП микросхемах.
http://focus.ti.com/lit/an/slya014a/slya014a.pdf
Отрывок из документации Fairchild Semiconductor (AN-375 1984г) про тиристорный эффект для микросхем серий 54HC/74HC:
"Thanks to some processing refinements, SCR latch-up isn’t a problem with the MM54HC/74HC Series. There are, however, limitations on the currents that the internal metallization and protection diodes can handle, so for high-level transients (pulse widths less than 20 ms and inputs above VCC or below ground), you must limit the current of the IC’s internal diode to 20 mA rms, 100 mA peak. Usually, a simple resistor configured in series with the input suffices."
Зато весьма относится к разделу 'железо'. Но, впрочем, продолжайте где угодно.Цитата:
P.S. Если есть желание продолжить полемику, то лучше это сделать в разделе "флейм", т.к. затронутая тема не имеет к исходной никакого отношения.