Ещё варианты.
1. ST: M27C1001/4001-35, tAAC=tCE=35ns, tOE=25ns.
2. Cypress: CY27H256/512/010-25, tAAC=25ns, tCE=30ns, tOE=12ns.
3. AMD: AM27H256-35, tAAC=tCE=35ns, tOE=20ns.
Вид для печати
Ещё варианты.
1. ST: M27C1001/4001-35, tAAC=tCE=35ns, tOE=25ns.
2. Cypress: CY27H256/512/010-25, tAAC=25ns, tCE=30ns, tOE=12ns.
3. AMD: AM27H256-35, tAAC=tCE=35ns, tOE=20ns.
У Dallas действительно медленные (для меня) nvSRAM. А вот у Simtek/Cypress есть чипы (STK11C88) до 20 нс. Но программировать нЕчем... Разве что на какой-нибудь андуринке сколдовать узкозаточенный программатор (а это надо её покупать и изучать среду :().Цитата:
Сообщение от LeoN65816
Из доступных на али/ибэе хочу попробовать STK15C88-SF25: через переходник SOIC28-DIP28 воткнуть в программатор TL866A, объявить её там как DS1230AB, с загруженным в буфер файлом прошивки протестировать записью и чтением для сравнения. Затем, при обесточивании чипа содержимое SRAM автоматически перепишется во внутреннюю EEPROM (соответственно, при подаче питания на чип содержимое EEPROM копируется в SRAM).
Кто-нибудь работал с данными чипами? Есть какие-либо "подводные камни"? Типа как у FRAM при каждом обращении в обязательном порядке должен быть отрицательный фронт выбора кристалла.
PS. Удобный параметрический поиск чипов памяти.
Докладываю голосом: приехала ко мне nvSRAMина STK15C88-SF25I, корпус SOIC-28 350 mils. Через адаптер втыкаю в TL866, в оболочке программатора выбираю DS1230Y(Dallas) или BQ4011YMA(TI). Поначалу не писалась и читались только FF. Параллельно питалову напаял неполярный 100 нф и электролит 22 мкф (47 мкф и более вызывает срабатывание защиты по превышению тока) - и "всё завертелось"! Так что шить STK15C88 через TL866 - вполне рабочее решение!