Можно, но не так просто. Понадобится один елемент ЛИ1, два ЛЛ1 и один ЛН1, делать так:
1 - освободить 22-ую ножку первой SRAM, вторую SRAM положить вторым этажом за исключением 22-ой ножки
2 - на плате Пентагона отрезать 11DD64 от 15DD62 и подать на землю
3 - на плате разширения падать сигнал с 6DD4 на один вход ЛИ1, на другой вход сигнал от раньше отрезанной ножки 15DD62
4 - для первой SRAM: сигнал с ЛИ1 подать на один вход ЛЛ1, на второй вход ЛЛ1 сигнал с 3DD4 на плате разширения, выход ЛЛ1 на 22-ую ножку SRAM
5 - для второй SRAM: сигнал с ЛИ1 подать на инвертор ЛН1, его выход на один вход ЛЛ1, на второй вход ЛЛ1 сигнал с 3DD4 на плате разширения, выход ЛЛ1 на 22-ую ножку SRAM
Схема (рисовал на digikey.com, не бейте):
https://i.ibb.co/DYvHVHQ/512-512.png
Если ненапутал чего нибудь должно работать :v2_dizzy_roll: Неуверен насчет задержек через ЛЛ1 и ЛН1, нужно тестить.
На стандартной плате Пентагона есть свободные елементы: ЛИ1 - DD82 12 И 13, DD97 9 и 10, ЛЛ1 - DD52 4 и 5, DD65 9 и 10, ЛН1 - DD84 3.
P.S. После доработки не будет блокировки памяти до 48K. Нужно ли это - решай сам.
Можно, но не так просто. Понадобится один елемент ЛИ1, два ЛЛ1 и один ЛН1, делать так: