Купили бы вы Z80 20MHz , если будет куда его установить ?

Цитата:

Сообщение от deathsoft

Не стоит выдергивать фразу из контекста:

По существу вам сказать нечего, раз вы про контекст разговор начали?

Цитата:

было написано "скоростью рассасывания зарядов из паразитной емкости затвора" надеюсь разницу между емкостью затвора и просто затвором вы видите.

А видите ли вы? В ёмкости зарядов быть не может, так же, как например не может быть зарядов в сопротивлении, так как это - параметр цепи (ёмкость - отношение заряда к потенциалу - как у него (отношения) может быть заряд?)

Цитата:

Насчет p-n переходов в МОП транзисторе - там их просто нет (не считая переходов со стока и истока на подложку).

Так всё-таки есть или нет - определитесь уж! Вы же СПЕЦИАЛИСТ (якобы)!

Цитата:

Статья про тиристорный эффект и методы борьбы с ним в современных КМОП микросхемах.
http://focus.ti.com/lit/an/slya014a/slya014a.pdf

Отрывок из документации Fairchild Semiconductor (AN-375 1984г) про тиристорный эффект для микросхем серий 54HC/74HC:
"Thanks to some processing refinements, SCR latch-up isn’t a problem with the MM54HC/74HC Series. There are, however, limitations on the currents that the internal metallization and protection diodes can handle, so for high-level transients (pulse widths less than 20 ms and inputs above VCC or below ground), you must limit the current of the IC’s internal diode to 20 mA rms, 100 mA peak. Usually, a simple resistor configured in series with the input suffices."

Я безумно рада, что вы соизволили наконец разобраться с тиристорным эффектом, поняли, причём там p-n переходы в МОП-транзисторах. Будьте добры, поясните теперь, как этот эффект возникает от сквозного тока!

Цитата:

P.S. Если есть желание продолжить полемику, то лучше это сделать в разделе "флейм", т.к. затронутая тема не имеет к исходной никакого отношения.

Зато весьма относится к разделу 'железо'. Но, впрочем, продолжайте где угодно.