В документации на Z80 сказано, что выводы /RD и /WR - на три состояния. А когда они в Z переходят? Нужно ли их подтягивать на Vсс резистором? В схемах не подтягивают нигде, не возникают ли наводки и ложные срабатывания?
Вид для печати
В документации на Z80 сказано, что выводы /RD и /WR - на три состояния. А когда они в Z переходят? Нужно ли их подтягивать на Vсс резистором? В схемах не подтягивают нигде, не возникают ли наводки и ложные срабатывания?
Уважаемые форумчане подскажите имортный аналог микрухи ТМ9.
Или можно чуть проще:
Аналоги_1533
тут почти все аналоги есть
Люди хелп.... допустим есть Winbond W29C020C, 256K х 8 CMOS FLASH MEMORY
Объем у нее 256 кб, или 262144 байта
Адресных выводов всего 18 (A0-A17)
Как происходит выборка данных?
Как я понимаю:
Chip Enable (СЕ) = 1
Output Enable (OE) = 1
Дальше не понятно.... A0-А17 для выбора сток?
Как происходит конкретный выбор ячейки и какие состояния шин данных....
Может есть где покурить подробное описание этого процесса...
Добавлено через 2 минуты
Насчет шины данных допетрил.... в одном байте 8 бит, соотвественно и выводов (D0-D7) восемь.... т.е. передаем один байт сразу?
CE, OE и WE там с "крышечкой", это значит что сигнал активен при логическом "0". Далее адресных входов 18, 2 в степени 18 как раз дает 262144. Значит для того чтобы считать байт необходимо:
1. Установить его адрес (номер) на адресных входах (А0 - А17)
2. Установить сигнал выборки кристалла (/CE) в "0"
3. Установить сигнал разрешения выхода (/OE) в "0"
и спустя какое-то время (время выборки) получим искомый байт на выходах D0 - D7
/ - вместо "крышечки"
Т.е. я хочу выбрать данные из 200 000 ячейки, я на А0-А17 пишу соответственно 110000110101000000?
Ух, все пояснил, спасибо большое!!!
И еще маленький вопросик ;) т.к. самый левый разряд старший.... D7-D0 вывод?