У меня появилось очень правдоподобное предположение, почему симм не работал с /CAS от C3.
У нас буфер записи (ИР22) открывается на выход по спаду сигнала /WEM. Память принимает данные со свой шины данных во время записи в двух ситуациях:
1) если спад /WEM приходится до спада /CAS - то цикл называется "ранняя запись", данные принимаются по спаду /CAS, причем они уже должны быть на шине во время начала спада /CAS и должны там оставаться в течение 15нс после.
2) если спад /WEM приходится после спада /CAS - то осуществляется цикл обычной (поздней) записи, данные принимаются по спаду /WEM. Они должны быть на шине во время начала этого спада и оставаться там в течение 15нс после спада.
Так вот, использование в нашей конфигурации цикла (2) неприемлемо, потому что во время спада /WEM данных еще нет на шине памяти, они появятся там только после задержки ИР22, которая составляет, в соответствии с датащитом, до 22нс. Причем этот параметр ничем не лучше у других микросхем, которые можно использовать в этом качестве (АП5, АП6), тут ничего улучшить нельзя.
При использовании же цикла ранней записи (1) необходимо, чтобы сигнал включения ИР22 попал на эту микросхему заблаговременно до спада /CAS так, чтобы она успела выдать данные на шину памяти, то есть не менее чем за 22нс. А что у нас?
Во время записи в память сигнал /WR процессора формируется им по спадающему фронту C2 (RAS), плюс некоторая задержка. В это время сигнал /HM уже активен, так что спад /WEM следует сразу же за спадом /WR, плюс задержка элемента ЛЛ1. Если сумма этих двух задержек + 22нс превышает время между спадом C2 и C3 (а это 57нс). Как видишь, запаса совсем мало. Теперь становится понятным, почему задержка сигнала /CAS помогла восстановить работоспособность.
---------- Post added 19.11.2010 at 00:05 ---------- Previous post was 18.11.2010 at 23:58 ----------
Тот же самый проц? А что этот другой комп делает, тоже тесты памяти гоняет? А то может еще быть так, что проц по-разному греется в зависимости от того, чем он занимается.Сообщение от oracleua
Это нормально, 531 серия обычно греется сильнее, она же быстрая и жрет много электричества. По 20мА на микросхему и более.
Аналогично, РТшки - очень прожорливые микросхемы, это одна из причин, по которой их следует избегать.
Импортные быстрые РУ7 тоже сильно греются, у меня были как печка в моей "Орели". Когда-то я даже сделал сложную схему, которая подавляла импульсы /RAS и /CAS на память тогда, когда в них не было необходимости. Удалось добиться довольно существенного охлаждения памяти. Я надеялся таким образом добиться надежной работы памяти на 7МГц...
Ответить с цитированием