Вопрос про выходные каскады шины адреса/данных 1801ВМ1, 1801ВМ2, 1806ВМ2, 1801ВМ3. Интересует, есть там верхний транзистор всё-таки (лог.1 активная) или нет (выход с ОК) или ещё какой вариант (слабая подтяжка с ограничением тока, мало ли ...).
Этот вопрос связан с основным вопросом - возможно ли подключать на ходу эти разряды к земле (цель - динамическое изменение выдаваемых ВМ адреса/данных внешней цепью) без какой-либо опасности сжечь выходные каскады, или схемотехника выходного каскада этого не позволяет?
Последний раз редактировалось yursav; 10.02.2016 в 21:47.
В этих микросхемах верхний транзистор есть, но, поскольку это n-MOS с одним питанием, то они слабенькие, со встроенным каналом, по документации - выдают вытекающий ток примерно 200мкА при выходном напряжении не менее 2.4В. Топологически - они там большую площадь занимают, если закоротить на землю, то выделяемая мощность должна распределиться, что сгорит - маловероятно. Но не думаю что это штатный режим.
Хм, освежил в памяти схемотехнику n-MOS - если верхний транзистор выходного каскада не управляется внутренней логикой микросхемы, а всегда висит затвором на питание в качестве динамической нагрузки, значит он априори спроектирован на работу на замыкание на 0 нижнего транзистора при выдаче лог.0, а значит также штатно будет работать и при любом внешнем замыкании на 0. Какая там схемотехника выходного каскада в 1801ВМ1 и 1801ВМ2, такая или другая?
И остаётся вопрос про 1806, которые КМОП - что у них в выходном каскаде, и про 1801ВМ3 - которые, скорее всего, имеют такой же выход, как в 1801ВМ1 и 1801ВМ2, но интересно, есть ли точная инфа?
В буферах внешних выводов это не так.
Схема 1801ВМ1А (буферы внешних выводов на странице 1)
Схема 1801ВМ2А (буферы внешних выводов на странице 1)
Те транзисторы, которые подключают выходы к питанию - они со встроенным каналом (в схеме слишком много транзисторов, поэтому я только один тип осилил, если применить несколько типов, то трудоемкость реверса возрастает, а смысла немного - обычно понятно где какой тип транзистора применен, из схемы) . Если на затворе высокое (напряжение питания), то канал транзистора открыт, и дает ток от 200мкА. Если выход снаружи закорочен, то мощность - 200мкА*5В - от 1мВт будет выделяться на этом транзисторе. Топологически он достаточно большой, но я не знаю, допустима ли такая мощность для него. Если на затворе напряжение низкого уровня, то встроенный канал закрывается.
Фрагмент схемы ВМ2, буфер вывода AD0:
T121 - драйвер высокого уровня, встроенный канал (от 200мкА) (топологически - большой, "многопальцевый")
T113 - драйвер низкого уровня, индуцированный канал (от 3,2мА) (топологически - большой, "многопальцевый")
T133 - защитный
T131/T132 - логика входного инвертора
T101 - ключ выдачи входных данных на внутренюю шину процессора
T56 - конденсатор бустера для T81, насколько я понял - мера для повышения быстродействия
"Многопальцевые" выходные транзисторы (T121/T113) выглядят так:
Они как бы скомбинированы вместе в единую структуру.
Последний раз редактировалось Vslav; 11.02.2016 в 16:50.
Реально при закоротке АД0 на общий 1801ВМ1 обеспечивает 1 ма ток КЗ на общий, или даже больше. При закоротке АД0 на питание - 15 ма или больше.
1806ВМ2 содержит встроенные 1564АП6 на линиях типа АД0 - т.е. ток КЗ выше в разы.
Блог : http://collectingrd.kxk.ru/ . В ЛС прошу не писать, все сообщения MMTEMA@MAIL.RU
Ага, спасибо, пробежался по цепочке, действительно в противофазе работают плечи, и верхнее отключается при 0 на выходе. Тогда надо искать по каждому типу предельные токи по выходам.
Вопрос тут, безопасно ли это для кристалла или нет.
Поглядел, только для 1801ВМ2 нашёл в справочном листке (он же в справочнике Нефедова) в предельно допустимых режимах максимальный ток нуля 5 мА и максимальный ток единицы 0.5 мА. А у Шахнова для всей серии 1801 указан максимальный ток нуля 3.2 мА и максимальный ток единицы 1 мА. Кому верить, непонятно, разброс по интересующей величине в 2 раза.
Интересно тогда ещё, у 1801ВМ1 и 1801ВМ2 размер транзисторов в выходном каскаде одинаковый?
Размеры примерно одинаковые, но это не показатель, важна еще куча параметров - степень легирования, толщина слоя оксида и прочее. Но рабочие токи, судя по документации, тоже примерно одинаковые. В своей конструкции я бы замыкать на землю выход не стал, нештатный это режим. Тем более, напряжение затвор-канал при заземлении канала растет, проводимость тоже растет, значит вырастет ток и выделяемая мощность, что приведет к локальному повышению температуры. А при разогреве полупроводника проводимость также растет, имеем положительную обратную связь. Кратковременное замыкание оно обычно выдерживает, а на постоянку - как повезет. Причем, если транзистор неудачно разрушится, то также может отказать и вход.
Стой-стой! Это же про Т121, да? Так там истоковый повторитель, т.е. при высоком уровне на его затворе и попытке подать низкий уровень на его исток через выходную ногу, ток может многократно возрасти, то есть вместо 200 мкА запросто окажется и 2мА, а то и 20. То есть коротким импульсом подать ноль можно, а дать статический уровень - так скорее всего сдохнет!..
Кто мешает тебе выдумать порох непромокаемый? (К.Прутков, мысль № 133)
Эту тему просматривают: 2 (пользователей: 0 , гостей: 2)