В проекте для DE1 ALTERA/INTEL FPGA University Program есть пример использования SRAM.
Скачать здесь.
Мне удалось сократить цикл SRAM на 1 такт что увеличило быстродействие на 10%.
ОЗУ нарастил до 0-157776, прикрутил управление пультовой ром от 177716[3]
Код:
assign mx_stb[3]	= (wb_stb & wb_cyc & (wb_adr[15:13] == 3'b111)&(~io_page)&(r177716[3]))  //pult_rom**********
					 |(wb_stb & wb_cyc & (wb_adr[15:6] == 10'o1776));
Состояние 177716[3] выведено на светодиод.
В результате SPEED не виснет, но есть интересный эффект.
После запуска RT11 светодиод горит постоянно.
Код:
====================  Протокол начат: 27/01/2018 21:38:40  =====================

@
@
@177716/160000
@T2
ТЕСТ     2
ПАМЯТЬ   020000 -157776
ПАМЯТЬ   000600 -017776
 
024164
@100/000400 102
000102/000000 2
@10000/000000 12701
010002/000000 177560
010004/000000 12702
010006/000000 177564
010010/000000 10100
010012/000000 5003
010014/000000 77301
010016/000000 5212
010020/000000 105712
010022/000000 100376
010024/000000 6300
010026/000000 1005
010030/000000 5012
010032/000000 12700
010034/000000 4
010036/000000 5761
010040/000000 2
010042/000000 42700
010044/000000 20
010046/000000 10062
010050/000000 2
010052/000000 1362
010054/000000 105711
010056/000000 100376
010060/000000 116123
010062/000000 2
010064/000000 22703
010066/000000 1000
010070/000000 101371
010072/000000 23727
010074/000000 140
010076/000000 67503
010100/000000 1006
010102/000000 12737
010104/000000 60527
010106/000000 140
010110/000000 12737
010112/000000 66562
010114/000000 142
010116/000000 5003
010120/000000 5023
010122/000000 113
@5000/000000 73
005002/000000 74316
005004/000000 43556
@10000G
HX 2.2  RT-11 Warm boot..
 
HX DSK/TTY multiplexer   v3.3  2016
SL V08.00 [SW] Сторожевых С.В. 1988
 
RT-11SJ (Y) V05.04 G
 
.SE USR NOSWAP
 
.SE EXIT NOSWAP
 
.SE TT SCOPE
 
.LO SL
 
.SE SL ON
 
.DAY
Время           Дата
21:39:14        27-Янв-2018, Суббота
 
.MEMORY
 
low     high
 
0       177410
177560  177570
177600  177720
 
 
.SPEED
 
ТЕСТ БЫСТРОДЕЙСТВИЯ
 
КОМАНДА СЛОЖЕНИЯ РЕГИСТР-РЕГИСТР
БЫСТРОДЕЙСТВИЕ (ТЫС.ОП./СЕК)    11568
 
КОМАНДА СЛОЖЕНИЯ РЕГИСТР-ПАМЯТЬ
БЫСТРОДЕЙСТВИЕ (ТЫС.ОП./СЕК)     5344
.SH ALL
 
RT-11SJ (Y) V05.04 G
Booted from HX0:RT11SJ
 
USR   is set NOSWAP
EXIT  is set NOSWAP
KMON  is set NOIND
TT    is set NOQUIET
ERROR is set ERROR
SL    is set ON
EDIT  is set KED
KMON nesting depth is 3
 
LSI 11 or PDP 11/03 Processor
56KB of memory
Extended Instruction Set (EIS)
Extended Arithmetic Element (EAE)
Parity Memory
ECC Memory
VT48 Graphics Display Hardware
50 Cycle System Clock
 
No SYSGEN options enabled
 
Device    Status          CSR     Vector(s)
------    ------          ---     ---------
  HX      Resident       177560   000
  TT      Installed      000000   000
  SL      141104         000000   000
  EM      Installed      000000   010
  LD      Installed      000000   000
 
TT
HX  (Resident)
    HX0 = DK , SY
SL  (Loaded)
EM
LD
17 free slots
 
Job  Name  Console Level State    Low    High  Impure
---  ----  ------- ----- -----    ---    ----  ------
 0   RESORC   0      0   Run     000000 141032   N/A
 
No multi-terminal support
 
Address   Module    Words
-------   ------    -----
160000    IOPAGE     4096.
156242    HX          431.
145414    RMON       2251.
141076    SL         1127.
131032    USR        2066.
001000    ..BG..    22541.
 
No LD units mounted
 
 
.ODT
 
 ODT V05.08
*177716/160010
*^C
 
.
==================  Протокол остановлен: 27/01/2018 21:40:46  ==================
- - - Добавлено - - -

Временные диаграммы SRAM



При чтении данные на выходе удерживаются до 7 нс после деактивации OE/CE
При записи допускается одновременное снятие данных и WE.

- - - Добавлено - - -

RTL