Цитата Сообщение от Vslav Посмотреть сообщение
Судя по всему это еще одно реальное доказательство, что микросхемам, изготовленным на достаточно чистых подложках, не так уж нужно отрицательное напряжение смещения. Прекрасно работает и без него.
С этим вопросом я разбирался:
В самом начале полевые транзисторы получались с большим количеством примесей щелочных металлов (в частности, потому что использовались проявители на гидроксидах щелочных металлов). Ионы щелочных металлов - двигаются в кремнии под действием электрического поля, и притягиваются к затворам изменяя их пороговое напряжение. Схема перестает работать через считанные дни работы.

Отрицательное напряжение на подложку останавливало этот процесс. Ну а потом научились делать без таких примесей, и уход напряжения смещения стал несущественным.