С любовью к вам, Yandex.Direct
Размещение рекламы на форуме способствует его дальнейшему развитию
AlexG, спасибо за ссылку, я ее уже читал, там опять же ссылки на "местные" доки. Нет свидетельств очевидцев, что 8 линий для регенерации достаточно, или наоборот, что нужно обязательно 9 линий.
дык спросить у Сергея ? Мож он тестер "Доделал" ? и на практике может что скажет?
Вспомнил, что Sergei Frolov делал отдельную тему по тестированию DRAM. И там есть такой пост. Лично у меня сомнений в необходимости регенерации РУ7 по 9 адресным линиям больше нет.
Ага. Оно самое. Всё вспоминал как называлась тема.
Удачи.
Если ещё актуально, могу предоставить.Сообщение от tnt23
Критиковать - значит объяснять автору, что он делает не так, как делал бы я, если бы умел
Спасибо, буду иметь в виду
- - - Добавлено - - -
ivagor, тогда на очереди хирургия МА8?
Или достаточно будет только поменять местами DD28-13 (SK4) и DD32-5 (Лог.0), оставив A17 и A3 на прежних местах?
(пока не раздобыл РУ7 для тестов, можно предаваться размышлениям)
Нет, надо менять обе пары. Если в будущем ты будешь эту доработку делать, то при наличии интереса можешь сначала поменять только SK4 с землей. Если я не обсчитался, то на экране при этом будут чередоваться 8 строк нормальных, потом 8 строк из "далекой" страницы (про которую штатный вывод на экран не знает) и так весь экран.
Но прежде чем делать вторую доработку регенерации все же стоит попробовать РУ7 с текущим вариантом, чтобы узнать какие адреса дохнут.
Подождите, Вы меня совсем запутали. Есть микросхемы памяти, у которых внутри организация 4-х битовая.
то есть A0-A7 идут напрямую (ну в смысле не совсем напрямую) на матрицу, с матрицы выходит 4-ре бита, а старший бит адреса используется только для выбора какой из этих четырех бит выдавать на DO.
Соответственно у этих чипов вроде как по даташиту прописан рефрешь 256 циклов RAS-onlу-refresh
http://oldpc.su/x/dram.jpg
Последний раз редактировалось dk_spb; 11.03.2019 в 17:51.
Смотрел штук 15 (или больше) даташитов DRAM с организацией 256kx1, некоторые весьма подробные, например Siemens - там и внутренняя организация и тонкости. Некоторые более поверхностные, например для MN, которые использовал tnt23. Но во всех было написано, что период регенерации 4 ms и регенерить нужно 256 row.
Было бы очень интересно увидеть даташит DRAM 256kx1 с регенерацией 8 ms и 512 row.
Эту тему просматривают: 1 (пользователей: 0 , гостей: 1)
Ваши права
Ответить с цитированием
