Цитата Сообщение от dk_spb Посмотреть сообщение
Соответственно у этих чипов вроде как по даташиту прописан рефрешь 256 циклов RAS-onlу-refresh
Смотрел штук 15 (или больше) даташитов DRAM с организацией 256kx1, некоторые весьма подробные, например Siemens - там и внутренняя организация и тонкости. Некоторые более поверхностные, например для MN, которые использовал tnt23. Но во всех было написано, что период регенерации 4 ms и регенерить нужно 256 row.
Было бы очень интересно увидеть даташит DRAM 256kx1 с регенерацией 8 ms и 512 row.