Еще я бы предложил выпустить модуль OЗУ "какбы-SIMM" с SRAM где будет стоять одна 74HCT574 (для защелки половинки адреса) и две ОЗУ SRAM 512Кх8, всё в планаре. Для этого на разъемы SIMM надо вывести A19 (он есть в схеме доработки 512 но не используется - один из выходов тамошней ТМ7) и можно будет установив только один такой модуль памяти сразу иметь 1024К которые наверняка еще и гонятся.