Плата RAM.

[xolod]

Есть у меня процессор KDJ11-B и корзина к нему H9278-A. А вот памяти нет.
Плата процессора умеет адресовать память и по QBUS и по PMI.
Вот и думаю собрать свою плату памяти для начала по QBUS.
МС RAM думаю поставить SRAM чтобы с регенерацией не возится.
Посоветует как это лучше сделать.
Что можно использовать в качестве макетной платы с краевым слотом?

[Advertiser]

[MM]

Что можно использовать в качестве макетной платы с краевым слотом?

Вот эту хрень :

[xolod]

ДА эту штука хороша для ДВК корзины, а в DECовскую ее совсем не как не воткнуть.

[MM]

а в DECовскую ее совсем не как не воткнуть.

ЛУТ в помощь.
Посоветую, однако, художественное рисование готовальней и лаком , для исключения проблем ЛУТа.
*
Либо приделать к DECовской корзинке разъем СНП58-64 папа и вставлять туда модуль СОЗУ.

[xolod]

Схему думаю частично позаимствовать у Реплики КМД 255.

[AFZ]

Что можно использовать в качестве макетной платы с краевым слотом?

Сделать самому с помощью лазерного утюга.

Схему думаю частично позаимствовать у Реплики КМД 255.

Годится. Не забудь только про шинные драйверы. Например, 531АП2. При этом внутреннюю шину AD00-15 (после драйверов) придется "подтянуть" к +5В резисторами 1-3.3 кОм.

[MM]

Оптимально сделать ЛУТом полуплату с ламелями, а как схему использовать 6СПП блока ВМ3А - 2 метра батарейного СОЗУ. Правда, высшие адреса там не буферизированы, идут на вход ЭКФ1531ИР23.
Подтяжки после АП2 в платоке ВМ3А лучше использовать 1 ком или даже 820 ом.

[xolod]

Оптимально сделать ЛУТом полуплату с ламелями, а как схему использовать 6СПП блока ВМ3А - 2 метра батарейного СОЗУ. Правда, высшие адреса там не буферизированы, идут на вход ЭКФ1531ИР23.
Подтяжки после АП2 в платоке ВМ3А лучше использовать 1 ком или даже 820 ом.

Было-бы не плохо из схемы от ВМ3 с СОЗУ убрать все ненужное. А то там очень много всего.

[MM]

убрать все ненужное

Предлагаю альтернативный подход - оставить нужное.

Что ставить :
1. АП2 - 6 шт.
2. ЛП5 - 1 шт.
3. ИР23 - 3 шт.
4. СОЗУ - 4 шт.
5. еще немного ИС...
Выв. SACK ВМ3 - на общий.
Вывести сигналы ВМ3 на разъем СНП58-64 :
Сигнал-Контакт
А16 - А18
А17 - А17
А18 - А16
А19 - А15
А20 - А11
А21 - А10
SEL ВМ3 - Б18
Далее - рассматриваем путь сигналов.
SYNC с Б22 разъема МПИ поступает на выв. 03 Д12, буфетизируется, с выв. 02 Д12 поступает на резистор подтяшки ( штанов ) выв. 04 RP7 1 ком, далее - на выв. 01 Д3 ЭКФ1533ЛН1
Далее инверсный SYNC идет на вход R выв. 01 ЭКФ1533ТМ9 Д9, разрешая её работу. И так же идет на выв. 03 цепочки элементов Д3.2 и Д3.3, оттуда идет на вход записи в Д9 ТМ9 выв. 09.
Этот сигнал так используется для записи адреса МПИ в ИР23 выв. 11. Больше сигнал SYNC нигде не используется.
Сигнал адреса детектируется на КП7 Д13, при выходе выв.05 = +5в. выборка разрешена.
Далее этот сигнал поступает на выв. 11 Д9 ТМ9, и запоминается там для текущего цикла выборки МПИ.
На вход выв. 09 Д13 КП7 так же приходит сигнал МПИ BS7, при его активном уровне = 0в. выборка СОЗУ запрещена.
Так же надо проработать вопрос о том, что бы на выв. 07 КП7 Д13 был сигнал, разрешающий доступ к ОЗУ МПИ ( см. Э3 МС1201.03 и др. М-ЭВМ ). Для эксперимента можно его временно закоротить на общий.
В общем, мы имеем сигнал выв.12 Д9 ТМ9 - опознание диапазона адресов СОЗУ, в диапазоне от 00 000000 до границы 2 метров.
Следует принять меры к запрету др. режимов работы СОЗУ :
выв. 03 Д9 ТМ9 подключить к общему ( режим низших адресов блока ВМ3А )
выв. 04 Д9 ТМ9 подключить к общему ( режим доступа к СОЗУ пульта ВМ3А из режима пользователя )
выв. 06 Д9 ТМ9 подключить к общему ( режим доступа к СОЗУ эмуля ПЗУ КНГМД )
диод Д12 не устанавливать
выв. 13 Д9 ТМ9 подключить к общему ( режим доступа к СОЗУ в странице BS7 )
выв. 14 Д9 ТМ9 подключить к общему ( режим пульта ВМ3 )

Далее сигнал опознавания адресов СОЗУ поступает на выв. 13 Д4 ЛА9 и складывается с сингалом запроса на ввод-вывод МПИ, получаемым на выв. 08 ЛА3 Д5.3.
В свою очередь этот сигнал получается из сигналов DIN выв.10 ЛА3 Д5.3 и сигнала DOUT выв. 09 ЛА3 Д5.3. Сигналы DIN и DOUT буферизирутся на АП2 Д10 с силовой МПИ, и подтягиваются резисторами 1 ком RP7. Так же сигнал DOUT немного задерживается на цепочке элементов ЛН1 Д2.1 и Д2.2

В общем, мы имеем сигнал воступа к СОЗУ на выв. 11 Д4 ЛА9, активный уровень = 0в.
Необходимо обеспечить на выв.01 Д26 ИР23 уровень 0в, для выдачи адреса из регистра.
Далее сигнал RAM ON поступает на выв. 13 Д1.6 530ЛН1 ( 533ЛН1, 133ЛН1, 1533ЛН1, 1564ЛН1 ), далее - на Д30.1 ЛА9 и далее - на АП2 Д12 выв. 13, после буферизации - на выв. Б20 разъема МПИ ( сигнал RPLY ).
На Д2.6 ЛН2 организован инвертор сигнал WTBT ( запись-байт ), далее сигнал поступает на коммутатор байтов СОЗУ Д30.4 ЛА9 и Д31.3 ЛА4, далее следует на ГИС управления защитой данных 217ЛА2 ( 2 шт. )
На цепочке диодов КД521 собрана схема контроля напряжения питания. В случае его нормального значения 217ЛА2 разрешают доступ к СОЗУ.
Схема коммутации банков СОЗУ собрана на ЛЕ4 Д32.

[MiX]

Посоветует как это лучше сделать.

Купить плату памяти и забыть о проблеме.