Вы имеете в виду вот эту схему?Сообщение от shapipovo
http://denn.ru/8bit/orion/128/sromd/..._schematic.jpg
Интересное решение, спасибо, разбираюсь. Хочется еще проще, думаю, пара или один диод и резистор, плюс, шина "БЛК" будет отдельно от входа SC микросхемы.
Последний раз редактировалось electroscat; 26.05.2020 в 19:59.
С любовью к вам, Yandex.Direct
Размещение рекламы на форуме способствует его дальнейшему развитию
Орион-512, Вектор Старт-1200
Ага, понял, спасибо!!! Тут... то есть не нужен никакой открытый коллектор", очень хорошо. То есть моя идея вполне имеет все шансы осуществиться. Получается что в схеме и WE будет с "1" при работе от батареи, это для чего? Вроде в мануале на память только про CS говорится.
Последний раз редактировалось electroscat; 26.05.2020 в 20:03.
Не работает. Не пойму в чем проблема, поставил диоды шотки, теперь 3.07 питание микросхемы в режиме хранения, отделение от общей шины "БЛК" позволило при помощи резистора в 1 ком после диодной развязки формировать напряжение в те же 3,07 вольта на CS, когда все остальное отключается от питания, на всех остальных выводах, кроме Vcc - нуль, то есть, условия Vcc=3.0V, CS≥Vcc-0.2V выполняются, и потребление конкретно для этой микросхемы должно быть 15 мка... микросхема вполне себе хранит почти все что в нее записано, но после выключения и включения питания на дисках ошибки, есть от 3 до 50 "плохих" секторов, на обоих дисках, обычно на С: побольше а на D: поменьше, искаженная графика и т.д. Может какие то переходные процессы... От длительности не зависит количество плохих секторов, то есть, на пару часов выключал, все те же несколько плохих секторов. Что еще может быть? Вроде потребление не большое, батарея не садится быстро как раньше, но тем не менее, содержимое памяти меняется, почему так может происходить? Память работает прекрасно в обычном режиме, никогда не появляются плохие сектора, всегда все четко...
Кстати, после того как поставил диоды шотки, и питание поднялось с 2,8 в до 3,07 - ошибок стало гораздо больше. А меньще всего ошибок было, когда вставлял две батареи СR2016, когда питание после диодной развязки составляло 5,7 вольт. Правда в таком случае память вообще все время питалась от батареи, потому что напряжение питания от блока - 4,9 в ...
Все же можно ли в этом случае обойтись минимальным количеством элементов, не вводя еще какие либо микросхемы в схему ? Как это сделать? Добавление еще одного корпуса на плату весьма критично, проще отказаться в целом от такого варианта, максимум пару транзисторов. Хотя DS1210 в целом импонирует. Но где гарантия, что такая связка заработает, нужно экспериментировать.... Ведь реально - условия сейчас все выполняются, а результат печальный.
И все же, очень интересно, для чего в схеме из сообщения выше - WE тоже держится в "1" при выключении питания ? Это наверняка как то связано ?
Последний раз редактировалось electroscat; 27.05.2020 в 20:33.
Что-то я так и не понял, при чём тут "БЛК" ?
Изначально это вЫходной сигнал из КД. И активен только когда происходит обращение к КД.
Или он используется как CS для памяти?
Тогда отделение диодом не поможет, т.к. диод должен позволять схеме усадить в "0" уровень на ноге CS микросхемы памяти.
Поможет отделить от схемы только транзистор и управляемый инверсным сигналом CS, т.е. открываемый "1"-ей.
Да, именно так, в схеме комбодевайса CS сидит на БЛК.
Да, я с этим смирился уже, причем, даже когда я отделил БЛК от CS, тоже ничего как следует не заработало минимальными (элементарными) способами. Решил таки влепить еще DS1210 в схему, вариант самый простой и самый надежный из всех, осталось только провести испытания на "соплях", и переразвести плату.
Проблема решена, распаял на плате сзади супервайзер DS1210, все идеально, питание отключается, включается, сутки стояло без питания, ошибок на диске не появляется, информация на обоих квазидисках сохраняется прекрасно, по поводу длительности хранения, теоретически - батарея CR2032 - в среднем 75 mah а потребление памяти и супервайзера по документам (K6T4008C1C-DB70) - 20 мка + (DS1210) 1 мка. То есть около 35 000 часов, приблизительно 8 лет.
Последний раз редактировалось electroscat; 30.05.2020 в 11:27.
По-быстрому прикинул схему КД на два диска, на K6T4008C1B, в основном с целью её дальнейшего использования в другом проекте, но при желании можно попробовать и реализовать "в железе":
Диски должны откликаться на 10h и 11h портах, одновременная работа двух дисков невозможна, при обращении к одному диску второй будет автоматически отключатся. Для поддержания сигнала CS питание от батарейки, кроме памяти, подаётся на м/с D6 (74HC00 или К1564ЛА3).
Плату не разводил, в архиве схема в протеусе и картинка: kd_sram_x2.7z
Последний раз редактировалось Improver; 29.05.2020 в 11:17.
crackintosh(30.05.2020), electroscat(29.05.2020)
Вопрос... А есть современные CMOS RAM Российского производства с объёмом 64 128 256 512 K ?
Современные, это года этак 1996.. Я самые поздние микросхемы находил 1996 года. Чтобы мульты снимать о достижениях оборонного комплекса микросхемы делать не нужно,.. зачем ?!?
Не удивлюсь, если Белоруссия что то производит, по крайней мере советскую логику 1533 серии делает до сих пор, правда называются микросхемы по западным стандартам.
Последний раз редактировалось electroscat; 31.05.2020 в 02:02.
Теоретически кое-что есть, но на практике уже сложнее. Скорее всего проще будет найти старые советские 132РУ10 или 537РУ17, хотя еще намного проще купить зарубежные более емкие микросхемы sram.
electroscat(01.06.2020)
Эту тему просматривают: 1 (пользователей: 0 , гостей: 1)
Ваши права
Ответить с цитированием
