Да и при выключеном состоянии, что бы в RAMдиске не портилась информация при включении/выключении питания нужно на шинах выборки, чтения, записи...а лучше вообще на всех шинах адреса/данных держать высокий уровень + нагрузка опять же увеличилачь втрое на батарейки из-за дополнительных микросхем.
Наверняка в схеме есть соответствующие подтягивающие резисторы.
А если в цепи подтягивающего резистора уменьшить сопротивление входа микросхемы в 3 раза (3 микросхемы впараллель запаяны, кроме выводов выборки кристалла), общий ток потребления от батарейки не возрастет? А сколько там других подтягивающих резисторов в схеме?





Ответить с цитированием