Ну, применительно к литиевым таблеткам, это почти труп.Сообщение от Arix
В начале 90-ых, когда были популярны АОНы на ВМ80 и Z80, ходили какие-то разговоры о неком "триггерном эффекте" у данного вида памяти... Что-то связано с переходом с номинального питания (+5В) на питание хранения (+3В) и уровнем на входе CS. Или ОЕ... Это очень смутные воспоминания, т.к. давно было. Там из-за неправильной последовательности подачи уровней при переходе на резерв, микросхемы начинали сильно греться и выходили из строя при обратном переходе на +5В. И дохли именно РУ10. Импортные аналоги повышенной ёмкости (6264 на 8КБ) такой проблемы не имели, насколько я помню.
Ответить с цитированием