нашел у себя ГДРовскую память U2164D. Она РУ5 какой букве соотвествует?
нашел у себя ГДРовскую память U2164D. Она РУ5 какой букве соотвествует?
В этих логах под названием CSRAM/ явно не CSRAM/Сообщение от Mick
Насчет ошибки непонятно, но заметно, что память чуть быстрее. У РУ5Г tCAC в основном 50 нс (иногда 60), а тут 40 нс (иногда 50)
Наверное отскочила прищепка. Новые данные теперь уже во вторник будут.
Если оставить в стороне CSRAM/, то я думал, что все же увижу в логе с явной ошибкой записи лишние WE/, но я их не увидел. Это с одной стороны хорошо, но с другой стороны вопрос с механизмом возникновения этих ошибок остается открытым.
- - - Добавлено - - -
Насчет ошибок на картинке и почему тест их не обнаруживает. С вероятностью близкой к 100% это были ошибки записи (в т.ч. в область 4000-57FF) при первоначальном заполнении памяти значением 0F. Основной цикл теста трогает только область атрибутов и наличие 0F по другим адресам не проверяет.
Я все же склоняюсь к тому, то ошибки чтения на самом деле являются ошибками записи, просто мы обнаруживаем их при чтении. Уже писал, что ввел повторное чтение ячейки при обнаружении ошибки и там всегда ошибка повторяется, на мой взгляд это больше похоже на то, что в озу записалось неправильное значение.
Хорошо, если это ошибки записи, почему их нет с медленным процессором.
По моему надо попытаться понять чем отличаются процы и как с этим бороться.
И да, ты не в курсе аналога памяти U2164D - если это РУ5Д, то можно для чистоты эксперимента проверить на быстром проце.
По логике, чем шустрее память, тем ошибки возникают чаще. С РУ5Г ошибки случаются реже, а вот что будет с РУ5Д.
Если бы знал, я бы написал, не стал держать в себе. Один момент вчера заметил, так получается, что в тесте все записи в 3 такте, и если посмотреть на сигнал, который ты назвал WRM (что может кого-то запутать, т.к. в схеме уже есть другой WRM/), то он заканчивается раньше WE/ на 40-50 нс. Причина этого - что WR/ проца становится =1. Уверен, что тут как и с CSRAM/ (DBIN) у медленных процов WR/ заканчивается немного позже. Но, как и с CSRAM/, явных проблем это не должно вызывать, т.к. и по даташиту и по логу после завершения WR/ на ШД (что важно) и ША (что уже не очень важно к этому моменту) еще некоторое время будут актуальные данные. Тем не менее в порядке танцев с бубном можно укоротить WE/. Даже для РУ5Г (не говоря про более быструю память) минимальные длительности tWR и tWCH - 80 нс, при 3 МГц это четверть такта, сокращение не нарушит требования даташита.
Укорачивание сзади - возможны разные варианты:
1) новый WE/=старый WE/ or RAS/
или
2) вход 13 (R/) D9.2=H1/ and (TI/ or CAS/)
или
3) вход 13 (R/) D9.2=H1/ and TI/, но тут еще надо заменить вход 11 (С) D9.2 на H0
или
4) можно еще что-то придумать
Укорачивание спереди - самый простой вариант уже озвучил ранее, это замена входа 11 (С) D9.2 на H0.
По хорошему такие изменения не должны влиять, но и замена памяти не должна была влиять на количество ошибок (и с медленными процами так и есть), а на практике с быстрыми влияет. Укорачивание WE/ можно рассматривать как одну из возможных диагностических операций.
Насчет U2164D достоверные характеристики сходу не гуглятся, но скорее всего по логу разница была бы заметна, те же РУ5Г от более быстрой памяти отличаются по tCAC.
С любовью к вам, Yandex.Direct
Размещение рекламы на форуме способствует его дальнейшему развитию
Тогда во вторник поставлю и посмотрим как она поведет.
По моему уже пробовали и ни к чему хорошему вроде не привело.
Если ты пробовал, то о результатах не писал.
Я предлагал это в качестве составной части одного из вариантов исправления SC/, но ты не писал, что пробовал его (исправлять текущий вариант SC/ точно не нужно, лишних записей в логах не видно).
- - - Добавлено - - -
Если у меня склероз и я забыл, как ты писал о пробе укорачивания WE/ спереди, то про укорачивание сзади, с которого я начал и у которого есть хотя бы призрачные теоретические предпосылки, определенно ничего не было.
В любом случае никто не заставляет все это пробовать на практике, можно воспринимать это как дополнительную пищу для размышлений.
Придумал, как можно проверить отдельно чтение без записи. После включения питания в dram не нули, а более-менее индивидуальный для каждого типа "мусор". Тестируем так:
1. Считаем образцовую CRC
2. Бесконечно повторяем цикл - считаем CRC, сравниваем с образцовой, если совпало, то бордюр ненадолго зеленый, потом продолжаем, если не совпало - то красный и в этом случае можно остановиться. Лог тут не ненужен, достаточно чтобы за полчаса-час не появился красный бордюр.
Проверить не сложно, теперь есть анализатор.
Но если теоретически порассуждать, то как бы с быстрой памятью вываливается мусор и ошибки чаще, с РУ5Г на экран ничего не срется, ошибки реже. Остается проверить еще один вариант, поставить 565РУ5Д, она вроде наиболее тормознутая из всех. И по теории заговора - там должны исчезнуть вообще ошибки.
- - - Добавлено - - -
Тут немного описывается они - https://retrocmp.de/hardware/u2164d/u2164d.htm
Я так понял быстродействие маркируется во второй строке. Если в статье U2164B C15 - 150нс, то это РУ5В
У меня U2164B C20 - 200нс, это РУ5Г
Значит не подходят немного.
Эту тему просматривают: 1 (пользователей: 0 , гостей: 1)
Ваши права
Ответить с цитированием
