Сообщение от
deathsoft
На это я могу сказать только одно: изучайте мат. часть, физические основы микроэлектроники, как работают полевые транзисторы, что из себя представляют КМДП структуры (в качестве диэлектрика может быть и не оксид кремния, а, например, нитрид кремния).
Вот вы лучше и изучайте. Особое внимание уделите нитриду кремния как диэлектрику под затворами - раз уж он для вас настолько важен, что вы его упомянули.
Я описал эффект связаный со сквозными токами, этот эффект наблюдается не на любой частоте.
Ну допустим. Тогда поясните, для начала, о рассасывании зарядов где вы говорите? В затворе (куске проводника) или в канале?
А обычный (линейный от частоты переключения) нагрев КМОП схем никак со сквозными токами не связан. При работе КМОП микросхем на паспортной частоте сквозных токов НЕТ.
Да неужели? Расскажите это микросхемам серии CD4000 (напряжение питания от 3 до 15 вольт) или, например, Филипсу, который в даташитах пишет:
Код:
When the input voltage equals the n-channel transistor
threshold voltage (typ. 0.7 V), the n-channel transistor
starts to conduct and through-current flows, reaching a
maximum at VI = 0.5 VCC for 74HC devices, and
VI = 28%VCC for 74HCT devices, the maximum current
being determined by the geometry of the input transistors.
The through-current is proportional to VCC^n where n is
about 2.2. The supply current for a typical HCMOS input is
shown as a function of input voltage transient in Fig.14.
И прилагает замечательные картинки зависимости сквозного тока от входного напряжения.
Ну и наконец, вы, как знаток физических основ микроэлектроники, извольте уж пояснить нам, неучам, как от сквозных токов (МОП-транзисторы в линейном режиме, ни один p-n переход не смещён в прямом направлении) возникает защёлкивание (открытие паразитных тиристорных структур).
Ответить с цитированием
