Wild Sound ...

[TSL]

Не стану оверквотить, пройдусь по всем пунктам.
Для начала стоит принять утверждения что:
а) слова "человека из минолты" есть незыблемая истина;
б) люди, писавшие даташиты на собственные продаваемые продукты, сами себе враги и заведомо указали ложные данные, чтоб себе навредить.

Открываем документ под названием "Samsung PRODUCT SELECTION GUIDE" (первая ссылка в гугле) и видим там расшифровку маркировки микросхем НАНД фирмы Самсунг (автор цитаты конечно не указал, что знакомый говорил именно о продуктах фирмы Самсунг, однако же другие фирмы тоже делают НАНД, как это ни странно). Итак, исходя из цитаты, рассматриваю микруху с маркировкой K9FxxxPIB0:

1. Memory (K)
2. NAND Flash : 9
3. Small Classification
F : SLC Normal
G : MLC Normal
4~5. Density
6~7. Organization
8. Vcc
9. Mode
10. Generation
11. “ ----”
12. Package
P : TSOP1 (Lead-Free)
13. Temp
C : Commercial
I : Industrial
14. Customer Bad Block
B : Include Bad Block
S : All Good Block
15. Pre-Program Version
0 : None
Serial (1~9, A~Z)

Что видно: да действительно F и G это разные технологии. Не вдаваясь в детали: SLC - 1 бит на транзистор, MLC - 2-4 бита на транзистор. Т.е. SLC действительно надежнее и (теоретически) может выдержать больше циклов перезаписи.
Далее открываем датошит на микросхему (любую из самсунга) и ищем упоминание про пункт 13. Находим:
Temperature Under Bias, 'С
K9XXG08UXM-XCB0 -10 to +125
K9XXG08UXM-XIB0 -40 to +125
Storage Temperature
K9XXG08UXM-XCB0 -65 to +150
K9XXG08UXM-XIB0 -65 to +150 (не опечатка, значения совпадают).
Внимание: других упоминаний о различии букв С и I в тексте НЕ ПРИСУТСТВУЕТ.

Так вот у меня была PIB0, это индустриальная сборка и технология внутри корпуса в 10 раз менее выгодная нежели у любых NAND'ов у которых маркировка K9Gxxx и в конце маркировка PCBA или PIBA

Даже не обращая внимания на то, что автор цитаты противоречит сам себе в части маркировки и не объясняет почему именно в 10 раз (а не в 2-ва, не в 100-сто и не в 11-диннадцать), хотелось бы узнать, где он это вычитал. Ах да, человек из минолты же!

Далее, в п.14 видно, что бэд-блоки заведомо есть, но (см.ниже) я допускаю, что действительно была куплена микруха S, и бэдов не было. Окай.

NAND'ы до 512метров гарантировано сделаны с большим расстоянием между ячейками и гарантируют 100000 перезаписей. Причём те которые PIB, в реальности гарантируют защиту от стирания статикой и количество перезаписей примерно в 100 раз больше.

Ого, маркетологи ликуют и удивляются одновременно!
А между тем, глядим в предварительно не закрытый датошыт и видим там такое:
Endurance : 100K Program/Erase Cycles(with 1bit/512Byte ECC)
(Перевод: Износоустойчивость: 100 тыс. циклов программирования/стирания (с 1 битом на 512 байт кодов коррекции))
Задумались? Дальше.

Initial Invalid Block(s)
Initial invalid blocks are defined as blocks that contain one or more initial invalid bits whose reliability is not guaranteed by Samsung.
The information regarding the initial invalid block(s) is called the initial invalid block information. Devices with initial invalid block(s)
have the same quality level as devices with all valid blocks and have the same AC and DC characteristics. An initial invalid block(s)
does not affect the performance of valid block(s) because it is isolated from the bit line and the common source line by a select transistor.
The system design must be able to mask out the initial invalid block(s) via address mapping. The 1st block, which is placed on
00h block address, is guaranteed to be a valid block up to 1K program/erase cycles with 1bit/512Byte ECC.

Многабукаф переводить влом, основные тезисы съезда:
- Самсунг НЕ гарантирует изначальную надежность блоков с 1 или более негодных битов.
- Девайсы без бэдов и с бэдами имеют ОДИНАКОВОЕ качество (напоминаю, маркировка S/B) - привет Человеку Из Минолты.
- Первый блок по адресу 0 (куда китайские быдлокодеры пихают обычно загрузчик, что зачастую требует перепайки НАНДа, чтоб оживить девайс) гарантированно (любимое слово автора цитаты) обеспечивают 1000 перезаписей. (Где-то опечатка, должно быть 100000, ведь Человек Из Минолты не может лгать.)

Насчёт глюков при обратном чтении страниц. Этот эффект проявляется именно на NAND'ах выше одного гигабайта, и происходит он от того, от чего и читаются битые биты, просто контроллер пытается их восстановить и не успевает скорректировать.

Так, сразу требую цитату из официальной документации, где написано, что контроллер НАНДа вообще хоть что-нибудь корректирует. (Забегая вперед, скажу, что при записи действительно происходит проверка EDC (найти различие между EDC и ECC - домашнее задание), но коррекция и сигнал об ошибке, согласитесь, не то же самое.)
Еще понравилось "не успевает". Это вообще как? Как это м\с может что то "успевать" или "не успевать"? Есть либо готовность, либо длина цикла, указанная в документации. Простите за грубость, но хочется спросить, а нет ли на м/с сигнала "пожалуйста, быстрее!", при логической единице на котором микросхема будет "успевать" что-либо делать раньше? =))

От этого на некоторых страницах происходят проблемы. Контроллер в NAND'е так устроен, что он внутри читает сектора на перёд. При попытке чтения в обратную сторону он сбрасывает буфера и начинает работу снова.

Опять, реквестирую цитату из документации про look-ahead cache в НАНДах. Иначе, вранье. (Кстати, "наперед" пишется слитно.)

Однако в NAND'ах до 1 гига подобная проблема не должна проявляться.

О, вот она, истинная вера!

115200.

Т.е. 10 килобайт за секунду.

1 гиг я никогда не записывал, особенно по ком-порту

Это на минуточку 27 часов, я позволил себе посчитать.

заливал только ХМки по 10 метров максимум. И это долго.

17 минут.

Ршибся, давно был этот разговор ... PCB0 PIB0 и SCB0 SIB0 ... Вообщем напутал, прошу прощения.

Сильно напутал. Видать речь шла о пункте 14, и тогда маркировка могла быть PISx/PCSx.

---------- Post added at 03:12 ---------- Previous post was at 02:28 ----------

Жаль, что контроллер выбран без USB интерфейса, там бы хоть 1 мегабайт/сек был. Хотя с другой стороны, под юсб же надо писать программу, а это сложно.