Среди преимуществ FeRAM перед флэш-памятью:
низкое энергопотребление;
быстрая запись информации;
существенно увеличенное максимальное число (превышающее 10^14 для устройств, рассчитанных на 3,3 В) циклов перезаписи.
К недостаткам FeRAM относят:
гораздо более низкую плотность размещения информации;
ограниченную ёмкость накопителей;
более высокую стоимость.
Ячейки флеш-памяти могут хранить несколько битов на ячейку (на данный момент 3 при высшей плотности для флеш-чипов типа NAND), причём количество бит на флеш-ячейку планируется увеличить до 4 или даже 8, благодаря новым технологиям в области создания флеш-ячеек. Диапазон плотности бит флеш-памяти, как следствие, значительно больше, чем у FeRAM, и таким образом стоимость бита флеш-памяти ниже, чем у FeRAM.