User Tag List

Показано с 1 по 10 из 33

Тема: Реверс-инжиниринг чипов от Dendy (NES)

Древовидный режим

Предыдущее сообщение Предыдущее сообщение   Следующее сообщение Следующее сообщение
  1. #1

    Регистрация
    08.10.2005
    Адрес
    Москва
    Сообщений
    14,373
    Спасибо Благодарностей отдано 
    1,695
    Спасибо Благодарностей получено 
    2,214
    Поблагодарили
    868 сообщений
    Mentioned
    69 Post(s)
    Tagged
    1 Thread(s)

    По умолчанию Реверс-инжиниринг чипов от Dendy (NES)

    Ввиду того, что параллельная тема на нашем форуме, а так же тема на emu-russia пришли в упадок, вместе с протуханием картинок, и грустью топикстартеров, - сделал собственную тему.

    Учитывая то, что фактически оба чипа от Dendy отфотканы, можно очень неспешно в них поковыряться.

    И прежде всего мне интересен видео-чип UA6538 отфотканный zeptobars'ом.
    Слой кремния выглядит качественным. Фотографий слоя металла целых три, но у первой фотки нет высокого разрешения, а третья совсем мутная. Остается вторая, которая тоже не подарок, но вполне понятная, во всяком случае в части тех фрагментов схемы, которые я смотрел.

    Отдельное спасибо товарищу @Flamer за отзывчивость и активность!

    Чип сделан по технологии N-МОП, и, судя по всему, используются транзисторы со встроенным каналом, работающие как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения. Т.е. любой транзистор (верхний или нижний) открыт, когда на затворе '1', и любой транзистор закрыт, когда на затворе '0'.
    Может быть только верхние транзисторы работают в режиме обеднения, а нижние обычные с индуцированным каналом. Если есть специалисты в этой области, поправьте меня.
    Так как до этого мне приходилось ковыряться только в K-МОП логике, я еще не настоящий пожарник, просто каску на дороге нашел)

    И ради затравочки темы сразу поразбирался в устройстве памяти спрайтов (OAM). Она у нас динамическая (DRAM), хранящая информацию на конденсаторах, образуемых затворами полевых транзисторов, и, соответственно, требующая регенерации.

    Вот фрагмент схемы, на примере 4 ячеек памяти.

    Скрытый текст

    [свернуть]


    Информация хранится в комплиментарном виде, т.е. в каждой ячейке хранится информационный бит X и его инверсная копия Y. Ничего удивительного в этом нет, т.к. это особенности данной NMOS-технологии.

    SEL_COL - выбор столбца
    SEL_ROW -выбор ряда
    OAM_CHARGE - пока не знаю, зачем нужен.

    Интересно, что память организована банками, сгруппированными по 9, 9, 9, 7, 7, 7, 9, 9 рядов. Таким образом, всего 34 ряда, и 32 столбца. Что дает нам 136 байт памяти, что на 8 байт больше, чем нужно для хранения спрайтов. Зачем лишние 8 байт? Пока не знаю)


    А вот как выглядят порты ввода-вывода:

    Скрытый текст



    [свернуть]
    Последний раз редактировалось Titus; 27.12.2019 в 18:22.

  2. #1
    С любовью к вам, Yandex.Direct
    Размещение рекламы на форуме способствует его дальнейшему развитию

Информация о теме

Пользователи, просматривающие эту тему

Эту тему просматривают: 1 (пользователей: 0 , гостей: 1)

Похожие темы

  1. Ответов: 1739
    Последнее: 09.01.2025, 10:55
  2. Реверс-инжиниринг игры Boovie
    от Oleg N. Cher в разделе Программирование
    Ответов: 41
    Последнее: 09.01.2022, 23:07
  3. Реверс инжиниринг печатной платы
    от Filin в разделе Несортированное железо
    Ответов: 36
    Последнее: 11.03.2018, 22:46
  4. Реверс-инжениринг и симуляция ретро-чипов
    от rl76 в разделе Разный софт
    Ответов: 10
    Последнее: 01.05.2011, 18:50
  5. переходник: NES >>> DENDY
    от KingArthur в разделе Nintendo
    Ответов: 2
    Последнее: 06.11.2007, 18:24

Ваши права

  • Вы не можете создавать новые темы
  • Вы не можете отвечать в темах
  • Вы не можете прикреплять вложения
  • Вы не можете редактировать свои сообщения
  •