Пока пишется продолжение, сразу несколько вопросов)
1) Почему поликремний иногда заканчивается тупиком, ни с чем не соединяясь?
2) Все ли переходные отверстия соединяют все 3 слоя, или же есть переходные отверстия соединяющие только два слоя?
3) Почему переходные отверстия натыканы иногда друг за другом? Для уменьшения сопротивления переходного отверстия или для чего-то еще?
4) Почему диффузия отливает то зеленым оттенком, то красным?
С любовью к вам, Yandex.Direct
Размещение рекламы на форуме способствует его дальнейшему развитию
Почему вокруг области "дифузии" видна тонкая черная полоска??? как её сделали? к стати такая же черная линия по борту поликремния когда его пересекает металл. Может это просто тень? А там не ровная поверхность а впадина?
Последний раз редактировалось bigral; 15.12.2014 в 15:30.
Про тупики сам понял) Это же база, ей необязательно с чем-то соединяться в другом месте, главное пересечь N или P область.Сообщение от Titus
Но возник другой вопрос - в некоторых местах размер поликремния очень малый, соединяется лишь с металлом и ничего не пересекает - это что?
Вопросы - это хорошо, всегда приятно их услышать
Это не тупик, это аналог "неиспользуемая нога микросхемы". То есть, наша ячейка-микросхема имеет две ножки, электрически соединенные между собой полоской поликремния, которая одновременно формирует затворы двух транзисторов. Дорожки "на плате" могут подходить к любой из этих двух электрически равнозначных ножек, оставляя вторую свободной. Или даже к двум сразу, в этом случае поликремний используется еще и как часть общей цепи, позволяя трассировке пересечь ячейку.
Зависит от технологии. Для 1515ХМ пока видны переходные только одного типа, соединяющие все три слоя одновременно. Для процессора 1801ВМ1 применялись переходные двух типов - все три слоя одновременно, и второй тип переходных, соединяющий только диффузию и поликремний.
Да, снижение паразитных параметров (сопротивления и индуктивности) и повышение надежности схемы, а также ПВГ (процент выхода годных).
Цвет тут понятие условное, может быть зависит от типа легирования - (бор или фосфор для Ангстрема), может быть это интерференция в тонкой пленке оксида (подложка покрыта слоем оксида кремния, на нем уже лежит поликремний, слой оксида - это изолятор, для реверса неинтересен). Поликремний в разных микросхемах тоже по-разному окрашен, даже для ХМ2-001 и ХМ2-003. Я предполагаю что это цвет использованного фоторезиста. Кстати, в термически обоженных микросхемах цвета все плывут и меняются. Поэтому факторов очень много и сказать "почему оно такого цвета" - сложно.
---------- Post added at 15:38 ---------- Previous post was at 15:34 ----------
Честный ответ - я не знаю откуда там такая хорошая темная полоска. Но считаю нам очень повезло, что ее так хорошо можно различить.
Насчет тени - маловероятно что это тень, слой металла очень тонкий, микроны, поэтому можно разглядеть некоторые детали за ним.
Правильно ли я понял этот кусочек схемы?
Последний раз редактировалось Titus; 16.12.2014 в 00:37.
Продолжение.
Вот так выглядит картинка, если прорисовать все значимые слои и добавить переходные отверстия. Там где имеется несколько переходных отверстий, электрически параллельных, то рисуем только одно - для восстановления принципиальной схемы количество отверстий не играет никакой роли, а нагрузка на графический редактор будет снижена (при большом количестве объектов начинаются эффекты подтормаживания), да и банально меньше времени потратим на прорисовку.
Далее я удалю области диффузии, заменив их на отдельные проводники в областях стока и истока, и только там где они нужны. Если оставить область сплошной, то PCAD будет считать что это единая цепь, а ведь на самом деле это отдельные сток и исток.
Предварительный анализ показывает что тут скорее всего две библиотечные ячейки, на рисунке показаны выделенные области:
Для начала рассмотрим ячейку А1 как более простую, на ней тонкими желтыми линиями нарисованы транзисторы и эквивалентная электрическая схема:
Далее, очень рекомендую такую книжку: Мальцев Петр Павлович, Цифровые интегральные схемы. В этой книге описаны различные советские БМК, в частности 1515ХМ1. Находим там в приложении описание библиотеки для серии 1515 и видим такое:
Напрашивается вывод что ячейка A1 это библиотечная ячейка типа 614, выполняющая функцию 2И-НЕ, то есть самый банальный элемент ЛА3, который любят приводить во всех примерах. Там какие-то циферки еще написаны - это и будут наши номера выводов "микросхемы", которой мы будем представлять ячейку (схемку я удалил, чтобы виднее цифры были):
Желающие могут попрактиковаться и расшифровать ячейку А0, которая гораздо сложнее и состоит из 14 транзисторов, ответ - под спойлером.Скрытый текст
ячейка A0 представляет собой тактируемый D-триггер с асинхронным сбросом. Хинт - используется проходная логика как в ячейке типа 616[свернуть]
Да, правильно.
Последний раз редактировалось Vslav; 15.12.2014 в 18:37.
Cooper(10.01.2022)
Пока что остался неотвеченным мой вопрос: http://zx-pk.ru/showpost.php?p=761629&postcount=183
И еще возник вопрос - если сплошная область диффузии - это фактически проводник, то почему:
Почему, диффузия над которой расположен полисиликон (затвор) становится непроводником? Или под полисиликоном в диффузии разрыв?
---------- Post added at 21:37 ---------- Previous post was at 21:23 ----------
И номер по книжке моей ячейки будет 615! )
Это такой же "тупик" - неиспользуемая ножка "микросхемы". Кусочек поликремния там может быть по разным технологическим причинам. Возможно просто выравнивание, чтобы не было резких перепадов по высоте. А может быть банально "пин" дублированный в слое поликремния.
Никто не заморачивается с "откусыванием"/"подчисткой" неиспользуемых ножек, ячейка разрабатывается и тестируется как единый технологический элемент, никто не будет проверять как она будет работать (или глючить) с измененной геометрией (с "откусанной" ножкой), ведь изменится куча паразитных параметров, может вылезти какая-нибудь неожиданная "бяка", связанная с технологией изготовления и прочее.
Нет, там нет разрыва. Насколько я знаю - видимые области диффузии вне затвора дополнительно легированы, поэтому сами по себе имеют значительную проводимость в сравнении с подзатворной областью. Это так называемый самосовмещенный затвор. Ионную имлантацию проводят дополнительно уже после нанесения затворов, они сами служат как бы дополнительным трафаретом, легируются только сток-истоковые области, получается затворы автоматически выравнены относительно областей легирования подложки.
Я достаточного далек от микроэлектроники, для таких нюансов лучше технологов спрашивать или читать соответствующую литературу. Кратко технология Ангстрема для n-МОП описана в ТО на 1801ВМ2, во второй части. Это описание значительно помогло разобраться с процессором.
Транзисторы в 1801, кстати, бывают двух типов - с индуцированным и встроенным каналами, характеристики у них разные, но по фото не видно, поэтому делаем выводы только из схемы. Подзатворная область у транзисторов со встроенным каналом легирована сильнее, и там фактически имеется постоянная проводимоть, чтобы закрыть такой транзистор - надо приложить минус. Транзисторы со встроенным каналом ставятся по схеме в верхнее плечо мостового ключа и позволяют всей схеме работать от единого питания. В 580ВМ80А транзисторов со встроенным каналом нет, поэтому требуется второе питание в +12В.
Серия 1515 - это КМОП, предполагается что тут все транзисторы с индуцированным каналом, подзатворная область легирована слабо, транзистор в исходном (при нулевом смещении относительно земли/питания) закрыт, для открытия нужно приложить соответствующее напряжение.
Вот теперь все прояснилось.
Вернее, осталась пара нюансов - как на нашем 1515 выглядят диоды и резисторы, с примерами?
И еще - какая есть самая простейшая программа, где можно рисовать схему из таких элементов - триггер, инвертор и т.д., и соединять их проводниками? И чтобы обязательно эти элементы можно было отображать в отечественном виде (когда инвертор - это прямоугольник с кружочком, а не треугольник с кружочком, как принято зарубежом)?
Еще есть вопрос по поводу областей "дифузии". В обьяснениях строения МОП транзисторов говорится что сами по себе транзисторы должны быть изолированны обратным смещением на pn-переходе на границе подложки и области "дифузии". Для этого якобы бывает еще 4-й вывод транзистора который соответственно подключен к "0" для n-канального и к "1" для p-канального.
Так вот шото не видно тут на снимке такого вот 4-го провода... ?
Эту тему просматривают: 5 (пользователей: 0 , гостей: 5)
Ваши права
Ответить с цитированием
